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UGBT、MOSFET - 单
HGTD7N60C3S9A参考图片

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HGTD7N60C3S9A

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 600V 14A 60W TO252AA
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
不適用於新設計
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
14A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
56A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2V @ 15V，7A
功率 - 最大值
60W
开关能量
165µJ（开），600µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
23nC
25°C 时 Td（开/关）值
-
测试条件
-
反向恢复时间（trr）
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252AA
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STGP19NC60H
STMicroelectronics
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 40A 130W TO220
暂无价格
参考库存:8991
NGD18N45CLBT4G
Littelfuse Inc.
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 450V 18A DPAK
暂无价格
参考库存:51557
IXA55I1200HJ
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 84A 290W TO247
暂无价格
参考库存:51573
FGH40T120SMD
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
暂无价格
参考库存:11222
STGD10NC60KDT4
STMicroelectronics
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 20A 62W DPAK
暂无价格
参考库存:51585
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