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UGBT、MOSFET - 单
IXGT32N90B2D1参考图片

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IXGT32N90B2D1

  • IXYS
  • 新批次
  • IGBT 900V 64A 300W TO268
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
HiPerFAST™
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
900V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
64A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
200A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.7V @ 15V，32A
功率 - 最大值
300W
开关能量
2.2mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
89nC
25°C 时 Td（开/关）值
20ns/260ns
测试条件
720V，32A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
190ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
供应商器件封装
TO-268
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRG6I330U-110P
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP
暂无价格
参考库存:32800
NGB8204NT4
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 430V 18A 115W D2PAK
暂无价格
参考库存:32808
IRGP6630DPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 47A 192W TO247AC
暂无价格
参考库存:32816
STGB3NB60SDT4
STMicroelectronics
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 6A 70W D2PAK
暂无价格
参考库存:32824
IXGT20N140C3H1
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1400V 42A 250W TO268
暂无价格
参考库存:32832
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