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UGBT、MOSFET - 单
IXGT32N170-TRL参考图片

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IXGT32N170-TRL

  • IXYS
  • 新批次
  • IGBT 1700V 75A 350W TO268
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1700V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
75A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
200A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
3.3V @ 15V，32A
功率 - 最大值
350W
开关能量
11mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
155nC
25°C 时 Td（开/关）值
45ns/270ns
测试条件
1020V，32A，2.7 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
1020V，32A，2.7 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
供应商器件封装
TO-268
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IXYQ40N65B3D1
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
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暂无价格
参考库存:10541
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