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UGBT、MOSFET - 单
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RJH60A83RDPP-M0#T2

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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
最後搶購
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
20A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.6V @ 15V，10A
功率 - 最大值
30W
开关能量
230µJ（开），160µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
19.7nC
25°C 时 Td（开/关）值
31ns/54ns
测试条件
300V，10A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
130ns
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商器件封装
TO-220FL
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IKD04N60R
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 8A 75W TO252-3
暂无价格
参考库存:29704
SGF5N150UFTU
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1500V 10A 62.5W TO3PF
暂无价格
参考库存:29712
IRGB10B60KDPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 22A 156W TO220AB
暂无价格
参考库存:29720
IRGP4740DPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 650V TO-247
暂无价格
参考库存:29728
IRGPF50F
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT FAST 900V 51A TO-247AC
暂无价格
参考库存:29736
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