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UGBT、MOSFET - 单
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IRG7PH35UDPBF

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
50A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
60A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.2V @ 15V,20A
功率 - 最大值
180W
开关能量
1.06mJ(开),620µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
85nC
25°C 时 Td(开/关)值
30ns/160ns
测试条件
600V,20A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
105ns
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247AC
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
暂无价格
参考库存:36886
UGBT、MOSFET - 单
IC DISCRETE 600V TO252-3
暂无价格
参考库存:36894
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 78A 370W D2PAK
暂无价格
参考库存:36902
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 40A 150W TO268
暂无价格
参考库存:36910
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 330V 180A TO3P
暂无价格
参考库存:36918
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