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UGBT、MOSFET - 单
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SKB02N60E3266ATMA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
6A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
12A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.4V @ 15V，2A
功率 - 最大值
30W
开关能量
64µJ
输入类型
标准
栅极电荷
14nC
25°C 时 Td（开/关）值
20ns/259ns
测试条件
400V，2A，118 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
130ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
PG-TO263-3
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STGWA15H120F2
STMicroelectronics
UGBT、MOSFET - 单
IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3
暂无价格
参考库存:55293
IXXH140N65B4
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
暂无价格
参考库存:12582
IXYT30N65C3H1HV
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 650V 60A 270W TO268HV
暂无价格
参考库存:55303
HGT1S12N60A4DS
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 54A 167W D2PAK
暂无价格
参考库存:43942
IHW15N120R3FKSA1
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 30A 254W TO247-3
暂无价格
参考库存:9254
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