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UGBT、MOSFET - 单
FGY75N60SMD参考图片

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FGY75N60SMD

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 600V 150A 750W POWER-247
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
150A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
225A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.5V @ 15V,75A
功率 - 最大值
750W
开关能量
2.3mJ(开),770µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
248nC
25°C 时 Td(开/关)值
24ns/136ns
测试条件
400V,75A,3 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
55ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3 变式
供应商器件封装
PowerTO-247-3
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 650V 15A TO220
暂无价格
参考库存:9064
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 24A 250W TO-247AD
暂无价格
参考库存:5026
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 900V 20A 125W TO220
暂无价格
参考库存:51947
UGBT、MOSFET - 单
IGBT
暂无价格
参考库存:10136
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 900V 47A 160W ISOPLUS247
暂无价格
参考库存:51967
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