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UGBT、MOSFET - 单

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IXXH30N65B4D1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
XPT™，GenX4™
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
70A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
146A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.1V @ 15V，30A
功率 - 最大值
230W
开关能量
1.04mJ（开），730µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
52nC
25°C 时 Td（开/关）值
20ns/150ns
测试条件
400V，30A，15 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
65ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247AD
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRG4BC10SPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 14A 38W TO220AB
暂无价格
参考库存:36166
IXGP28N120B
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 50A 250W TO220
暂无价格
参考库存:36174
NGTB40N120SWG
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 40A 1200V TO-247
暂无价格
参考库存:36182
IXSK50N60AU1
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 75A 300W TO264AA
暂无价格
参考库存:36190
ISL9V2040S3S
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 430V 10A 130W TO263AB
暂无价格
参考库存:36198
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