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FET，MOSFET - 单个
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BS250FTC

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET P-CH 45V 0.09A SOT23-3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
45V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
90mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
14 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
3.5V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
25pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
330mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP2NK100Z
STMicroelectronics
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO-220
暂无价格
参考库存:77781
SIHB28N60EF-GE3
Vishay Siliconix
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
暂无价格
参考库存:7085
IPD06P003NATMA1
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
TRENCH 40
暂无价格
参考库存:45001
SIPC69SN60C3X2SA1
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
TRANSISTOR NPN
暂无价格
参考库存:45009
TPH3206LDB
Transphorm
FET，MOSFET - 单个
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
暂无价格
参考库存:45033
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