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FET,MOSFET - 单个

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SISA35DN-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P-CH 30V PK 1212-8
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
TrenchFET® Gen III
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
10A(Ta),16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
19 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
42nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1500pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.2W(Ta),24W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN
暂无价格
参考库存:33051
FET,MOSFET - 单个
N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE
暂无价格
参考库存:33059
FET,MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
暂无价格
参考库存:33067
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
暂无价格
参考库存:33075
FET,MOSFET - 单个
MOSFET NCH 20V 2A SOT23
暂无价格
参考库存:551386
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