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栅极驱动器
SI9910DY-E3参考图片

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SI9910DY-E3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
停產
驱动配置
高端
通道类型
单路
驱动器数
1
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 电源
10.8V ~ 16.5V
逻辑电压- VIL，VIH
-
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
1A，1A
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）
500V
上升/下降时间（典型值）
50ns，35ns
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
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