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双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
NSBC114EDXV6T5G参考图片

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NSBC114EDXV6T5G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基底(R1)
10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)
10 千欧
不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
35 @ 5mA,10V
不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值)
250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
频率 - 跃迁
-
功率 - 最大值
500mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
暂无价格
参考库存:29600
双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
暂无价格
参考库存:29608
双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
PREBIAS TRANSISTOR SOT363
暂无价格
参考库存:29624
双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
暂无价格
参考库存:29632
双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5
暂无价格
参考库存:29640
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