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双极性晶体管（BJT）- 阵列
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BCM856SH6778XTSA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
不適用於新設計
晶体管类型
2 PNP（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
65V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）
15nA（ICBO）
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
200 @ 2mA，5V
功率 - 最大值
250mW
频率 - 跃迁
250MHz
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
PG-SOT363-6
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PBSS4041SP,115
Nexperia USA Inc.
双极性晶体管（BJT）- 阵列
TRANS 2PNP 60V 5.9A 8SO
暂无价格
参考库存:48841
PBSS4032SP,115
Nexperia USA Inc.
双极性晶体管（BJT）- 阵列
TRANS 2PNP 30V 4.8A 8SO
暂无价格
参考库存:17464
STA412A
Sanken
双极性晶体管（BJT）- 阵列
TRANS 4NPN 60V 3A 10-SIP
暂无价格
参考库存:17188
SN75468D
Texas Instruments
双极性晶体管（BJT）- 阵列
TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO
暂无价格
参考库存:27427
SLA6020
Sanken
双极性晶体管（BJT）- 阵列
TRANS 3NPN/3PNP DARL 100V 12SIP
暂无价格
参考库存:14464
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