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UGBT、MOSFET - 单
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APT102GA60B2

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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
POWER MOS 8™
零件状态
停產
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
183A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
307A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.5V @ 15V，62A
功率 - 最大值
780W
开关能量
1.354mJ（开）， 1.614mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
294nC
25°C 时 Td（开/关）值
28ns/212ns
测试条件
400V，62A，4.7 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
400V，62A，4.7 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3 变式
供应商器件封装
TO-247-3 变式
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IGB15N65S5ATMA1
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT PRODUCTS
暂无价格
参考库存:32208
IRGB4615DPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 23A 99W TO220
暂无价格
参考库存:32216
IRG4BC20K
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 16A 60W TO220AB
暂无价格
参考库存:32224
IXGH28N60BD1
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 40A 150W TO247AD
暂无价格
参考库存:32232
IRG4PH20KD
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
暂无价格
参考库存:32240
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