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UGBT、MOSFET - 单
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FGD4536TM_SN00306

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
360V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
360V
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
220A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.8V @ 15V，50A
功率 - 最大值
125W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
47nC
25°C 时 Td（开/关）值
-
测试条件
-
反向恢复时间（trr）
-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252，（D-Pak）
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IXGH24N120C3
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UGBT、MOSFET - 单
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暂无价格
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NGTB75N65FL2WG
ON Semiconductor
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IGBT 600V 75A TO247
暂无价格
参考库存:7104
IXGH56N60B3D1
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IGBT 600V 330W TO247
暂无价格
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IXXH30N65B4
IXYS
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IGBT 650V 65A 230W TO247AD
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APT25GT120BRDQ2G
Microchip Technology
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暂无价格
参考库存:7190
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