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UGBT、MOSFET - 单
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SGB15N60HSATMA1

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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
27A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
60A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
3.15V @ 15V，15A
功率 - 最大值
138W
开关能量
530µJ
输入类型
标准
栅极电荷
80nC
25°C 时 Td（开/关）值
13ns/209ns
测试条件
400V，15A，23 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
400V，15A，23 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
PG-TO263-3
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IXSH35N140A
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1400V 70A 300W TO247
暂无价格
参考库存:38490
APT30GT60KRG
Microsemi Corporation
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 64A 250W TO220
暂无价格
参考库存:38498
IRGB15B60KDPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 31A 208W TO220AB
暂无价格
参考库存:38506
GPA020A135MN-FD
SemiQ
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
暂无价格
参考库存:38514
SGD02N60BUMA1
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 6A 30W TO252-3
暂无价格
参考库存:38530
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