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UGBT、MOSFET - 单
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IRG4BC30U

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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
23A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
92A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.1V @ 15V，12A
功率 - 最大值
100W
开关能量
160µJ（开），200µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
50nC
25°C 时 Td（开/关）值
17ns/78ns
测试条件
480V，12A，23 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
480V，12A，23 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220AB
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IXGK50N60A2U1
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 75A 400W TO264AA
暂无价格
参考库存:27262
IRG4PC50UPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 55A 200W TO247AC
暂无价格
参考库存:27270
IRGB4059DPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 8A 56W TO220AB
暂无价格
参考库存:27278
IRG4PC40WPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 40A 160W TO247AC
暂无价格
参考库存:27286
STGD3NB60HDT4
STMicroelectronics
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 10A 50W DPAK
暂无价格
参考库存:27294
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