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UGBT、MOSFET - 单
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RJP4009ANS-01#Q6

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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
400V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
400V
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
150A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
9V @ 2.5V，150A
功率 - 最大值
1.8W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
标准
25°C 时 Td（开/关）值
-
测试条件
-
反向恢复时间（trr）
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-VDFN
供应商器件封装
8-VSON（3x4.4）
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IGZ100N65H5XKSA1
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 650V 100A SGL TO-247-4
暂无价格
参考库存:11028
RGTV00TK65DGC11
Rohm Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
暂无价格
参考库存:12320
IXGH15N120CD1
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 30A 150W TO247
暂无价格
参考库存:57541
APT25GR120S
Microchip Technology
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
暂无价格
参考库存:10190
IXGH10N100
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1000V 20A 100W TO247AD
暂无价格
参考库存:57551
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