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GT8G133(TE12L,Q)

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
批号:新批次
描述:IGBT 400V 600MW 8TSSOP
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参数信息

参数	参数值
包装	标准卷带
系列	-
零件状态	停產
IGBT 类型	-
电压 - 集射极击穿（最大值）	400V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	400V
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	150A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）	2.9V @ 4V，150A
功率 - 最大值	600mW
开关能量	-
输入类型	标准
栅极电荷	标准
25°C 时 Td（开/关）值	1.7µs/2µs
测试条件	-
反向恢复时间（trr）	-
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装	8-TSSOP

商品其它信息

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推荐型号

图片	型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
	IKW60N60H3FKSA1	Infineon Technologies	UGBT、MOSFET - 单	PDF数据手册	IGBT 600V 80A TO247-3	暂无价格	参考库存:30642
	IRG4RC20FTR	Infineon Technologies	UGBT、MOSFET - 单	PDF数据手册	IGBT 600V 22A 66W DPAK	暂无价格	参考库存:30650
	IXGH32N60B	IXYS	UGBT、MOSFET - 单	PDF数据手册	IGBT 600V 60A 200W TO247AD	暂无价格	参考库存:30658
	IXGR50N60C2D1	IXYS	UGBT、MOSFET - 单	PDF数据手册	IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247	暂无价格	参考库存:30666
	IRG4PSC71UDPBF	Infineon Technologies	UGBT、MOSFET - 单	PDF数据手册	IGBT 600V 85A 350W SUPER247	暂无价格	参考库存:30674

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