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UGBT、MOSFET - 单
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IRGP4790DPBF

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
140A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
225A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2V @ 15V，75A
功率 - 最大值
455W
开关能量
2.5mJ（开），2.2mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
210nC
25°C 时 Td（开/关）值
50ns/200ns
测试条件
400V，75A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
170ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247AC
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FGPF30N30
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 300V 46W TO220F
暂无价格
参考库存:37110
NGD8201NT4G
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 440V 20A 125W DPAK
暂无价格
参考库存:37126
IRG4BC30FD1
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 31A 100W TO220AB
暂无价格
参考库存:37134
IRG4BC20K-S
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 16A 60W D2PAK
暂无价格
参考库存:37142
SGF23N60UFDM1TU
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 23A 75W TO3PF
暂无价格
参考库存:37150
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