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UGBT、MOSFET - 单
STGWT20H60DF参考图片

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STGWT20H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 600V 40A 167W TO3PF
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
40A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
80A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2V @ 15V，20A
功率 - 最大值
167W
开关能量
209µJ（开），261µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
115nC
25°C 时 Td（开/关）值
42.5ns/177ns
测试条件
400V，20A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
90ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IXGX82N120A3
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 260A 1250W PLUS247
暂无价格
参考库存:56965
IXGK120N120B3
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 200A 830W TO264
暂无价格
参考库存:12356
IXGT40N120B2D1
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 75A 380W TO268
暂无价格
参考库存:56977
FGH25T120SMD-F155
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 50A 428W TO247-3
暂无价格
参考库存:9941
APT25GP90BG
Microchip Technology
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 900V 72A 417W TO247
暂无价格
参考库存:56987
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