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UGBT、MOSFET - 单
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IXXH50N60B3

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
GenX3™，XPT™
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
120A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
200A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.8V @ 15V，36A
功率 - 最大值
600W
开关能量
670µJ（开），740µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
70nC
25°C 时 Td（开/关）值
27ns/100ns
测试条件
360V，36A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
360V，36A，5 欧姆，15V
工作温度
-
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247（IXXH）
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IXGT60N60C2
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 75A 480W TO268
暂无价格
参考库存:34538
IXGH12N60CD1
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 24A 100W TO247AD
暂无价格
参考库存:34546
IRGP4263D1PBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V TO247 COPAK
暂无价格
参考库存:34554
IRG4BC20MDPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 18A 60W TO220AB
暂无价格
参考库存:34562
IKW75N60TAFKSA1
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 80A 428W TO247-3
暂无价格
参考库存:34570
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