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UGBT、MOSFET - 单
IXGA20N120B3参考图片

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IXGA20N120B3

  • IXYS
  • 新批次
  • IGBT 1200V 36A 180W TO263
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
GenX3™
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
36A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
80A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
3.1V @ 15V，16A
功率 - 最大值
180W
开关能量
920µJ（开），560µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
51nC
25°C 时 Td（开/关）值
16ns/150ns
测试条件
600V，16A，15 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
600V，16A，15 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
TO-263（IXGA）
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推荐型号
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FGA3060ADF
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 60A 176W TO-3PN
暂无价格
参考库存:51737
STGB20NB37LZT4
STMicroelectronics
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 425V 40A 200W D2PAK
暂无价格
参考库存:51745
IXGP12N100A
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1000V 24A 100W TO220AB
暂无价格
参考库存:51753
FGM603
Sanken
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 30A 60W TO3PF
暂无价格
参考库存:51765
IGW40N65F5FKSA1
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
暂无价格
参考库存:5554
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