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UGBT、MOSFET - 单
STGW25H120F2参考图片

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STGW25H120F2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
50A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
100A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.6V @ 15V,25A
功率 - 最大值
375W
开关能量
600µJ(开),700µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
100nC
25°C 时 Td(开/关)值
29ns/130ns
测试条件
600V,25A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
600V,25A,10 欧姆,15V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 20A 100W TO220AB
暂无价格
参考库存:31596
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 75A DIE
暂无价格
参考库存:31604
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 14A 54W TO263
暂无价格
参考库存:31612
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 40A 150W TO247AD
暂无价格
参考库存:31620
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 32A 140W TO247AD
暂无价格
参考库存:31628
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