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UGBT、MOSFET - 单
FGPF50N30TTU参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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FGPF50N30TTU

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 300V 46.8W TO220F
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
不適用於新設計
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿(最大值)
300V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
300V
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
120A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
1.5V @ 15V,15A
功率 - 最大值
46.8W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
97nC
25°C 时 Td(开/关)值
-
测试条件
-
反向恢复时间(trr)
-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商器件封装
TO-220F
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 700V SUPER PG-TO274-3-903
暂无价格
参考库存:7719
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 121A 520W TO-247
暂无价格
参考库存:7703
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 80A 260.4W
暂无价格
参考库存:8343
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 16A 55W TO220F
暂无价格
参考库存:11065
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1100V 50A 300W TO3PN
暂无价格
参考库存:39102
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