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UGBT、MOSFET - 单
IXBT20N300HV参考图片

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IXBT20N300HV

  • IXYS
  • 新批次
  • IGBT 3000V 50A 250W TO268
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
BIMOSFET™
零件状态
不適用於新設計
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
3000V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
50A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
140A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
3.2V @ 15V，20A
功率 - 最大值
250W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
105nC
25°C 时 Td（开/关）值
-
测试条件
-
反向恢复时间（trr）
1.35µs
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
供应商器件封装
TO-268
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NGTB60N65FL2WG
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
650V/60A IGBT FSII
暂无价格
参考库存:2191
AIKW50N65DH5XKSA1
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IC DISCRETE 650V TO247-3
暂无价格
参考库存:2493
STGWT40H65DFB
STMicroelectronics
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
暂无价格
参考库存:6575
IXYA20N120B4HV
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 20A GENX4 XPT TO263D2
暂无价格
参考库存:48991
STGD10NC60HT4
STMicroelectronics
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 20A 60W DPAK
暂无价格
参考库存:48999
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