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UGBT、MOSFET - 单
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APT75GN120LG

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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
200A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
225A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.1V @ 15V，75A
功率 - 最大值
833W
开关能量
8620µJ（开），11400µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
425nC
25°C 时 Td（开/关）值
60ns/620ns
测试条件
800V，75A，1 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
800V，75A，1 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装
TO-264 [L]
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RGT50TS65DGC11
Rohm Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 650V 48A 174W TO-247N
暂无价格
参考库存:4592
ISL9V5045S3ST-F085
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 480V 51A 300W D2PAK
暂无价格
参考库存:26424
NGTD13T65F2WP
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
暂无价格
参考库存:49795
IXYN50N170CV1
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1700V 120A SOT227B
暂无价格
参考库存:2734
IGB20N60H3ATMA1
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 40A 170W TO263-3
暂无价格
参考库存:49805
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