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UGBT、MOSFET - 单
HGTG11N120CND参考图片

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HGTG11N120CND

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 1200V 43A 298W TO247
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
不適用於新設計
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
43A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
80A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.4V @ 15V，11A
功率 - 最大值
298W
开关能量
950µJ（开），1.3mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
100nC
25°C 时 Td（开/关）值
23ns/180ns
测试条件
960V，11A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
70ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
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IRGB4059DPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 8A 56W TO220AB
暂无价格
参考库存:27278
IRG4PC40WPBF
Infineon Technologies
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IGBT 600V 40A 160W TO247AC
暂无价格
参考库存:27286
STGD3NB60HDT4
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IGBT 600V 10A 50W DPAK
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IXGH24N60C
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IGBT 600V 48A 150W TO247AD
暂无价格
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IXGK60N60
IXYS
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IGBT 600V 75A 300W TO264
暂无价格
参考库存:27310
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