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UGBT、MOSFET - 单
FGH40T120SMD参考图片

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FGH40T120SMD

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
160A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.4V @ 15V，40A
功率 - 最大值
555W
开关能量
2.7mJ（开），1.1mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
370nC
25°C 时 Td（开/关）值
40ns/475ns
测试条件
600V，40A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
65ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IXGH25N100U1
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1000V 50A 200W TO247AD
暂无价格
参考库存:33768
IRG4BC20UDSTRLP
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 13A 60W D2PAK
暂无价格
参考库存:33784
IRG4BC30KDSTRLP
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 28A 100W D2PAK
暂无价格
参考库存:33792
IKD10N60RFAATMA1
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
暂无价格
参考库存:33800
IXGA150N30TC
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 300V 150A TO263AA
暂无价格
参考库存:33808
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