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UGBT、MOSFET - 单
RGS80TSX2DHRC11参考图片

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RGS80TSX2DHRC11

  • Rohm Semiconductor
  • 新批次
  • 1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
120A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.1V @ 15V，40A
功率 - 最大值
555W
开关能量
3mJ（开），3.1mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
104nC
25°C 时 Td（开/关）值
49ns/199ns
测试条件
600V，40A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
198ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247N
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推荐型号
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IXGF20N300
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 3000V 22A 100W I4-PAK
暂无价格
参考库存:49199
IXGL200N60B3
IXYS
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IGBT 600V 150A 400W ISOPLUS264
暂无价格
参考库存:49209
HGTG20N60A4D
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 70A 290W TO247
暂无价格
参考库存:4078
IXGT24N60C
IXYS
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IGBT 600V 48A 150W TO268
暂无价格
参考库存:49219
AUIRG4PH50S
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 57A 200W TO247AC
暂无价格
参考库存:3953
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