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UGBT、MOSFET - 单
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APT45GP120BG

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
POWER MOS 7®
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
100A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
170A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
3.9V @ 15V，45A
功率 - 最大值
625W
开关能量
900µJ（开），904µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
185nC
25°C 时 Td（开/关）值
18ns/102ns
测试条件
600V，45A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
600V，45A，5 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247 [B]
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IXXX200N60C3
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 200A PLUS247
暂无价格
参考库存:53631
IKP08N65F5XKSA1
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3
暂无价格
参考库存:7245
APT43GA90B
Microchip Technology
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 900V 78A 337W TO-247
暂无价格
参考库存:6495
IXDP20N60BD1
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 32A 140W TO220AB
暂无价格
参考库存:6550
APT25GN120SG
Microchip Technology
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 67A 272W D3PAK
暂无价格
参考库存:6437
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