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UGBT、MOSFET - 单
STGW80H65FB-4参考图片

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STGW80H65FB-4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT BIPO 650V 80A TO247
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
120A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
240A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2V @ 15V，80A
功率 - 最大值
469W
开关能量
2.1mJ（开），1.5mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
414nC
25°C 时 Td（开/关）值
84ns/280ns
测试条件
400V，80A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
400V，80A，10 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-4
供应商器件封装
TO-247-4L
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IXGP48N60B3
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-22
暂无价格
参考库存:32046
SGL60N90DG3TU
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 900V 60A 180W TO264
暂无价格
参考库存:32054
NGB8206NTF4
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
暂无价格
参考库存:32062
STGP12NB60K
STMicroelectronics
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 30A 125W TO220
暂无价格
参考库存:32070
IRG7PH50UPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 140A 556W TO247AC
暂无价格
参考库存:7713
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