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UGBT、MOSFET - 单
IXBR42N170参考图片

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IXBR42N170

  • IXYS
  • 新批次
  • IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
BIMOSFET™
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
1700V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
57A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
300A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.9V @ 15V，42A
功率 - 最大值
200W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
188nC
25°C 时 Td（开/关）值
-
测试条件
-
反向恢复时间（trr）
1.32µs
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
ISOPLUS247™
供应商器件封装
ISOPLUS247™
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STGWA25M120DF3
STMicroelectronics
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 50A 375W TO247
暂无价格
参考库存:38466
IKD04N60RFAATMA1
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 8A 75W TO252-3
暂无价格
参考库存:38474
IRG4BC30KDPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 28A 100W TO220AB
暂无价格
参考库存:38482
IXSH35N140A
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1400V 70A 300W TO247
暂无价格
参考库存:38490
APT30GT60KRG
Microsemi Corporation
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 64A 250W TO220
暂无价格
参考库存:38498
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