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FET,MOSFET - 阵列

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VQ1001P-E3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
4 个 N 通道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
830mA
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
1.75 欧姆 @ 200mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
110pF @ 15V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
-
供应商器件封装
14-DIP
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A 8-MLP
暂无价格
参考库存:16850
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
暂无价格
参考库存:139352
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
暂无价格
参考库存:46854
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363
暂无价格
参考库存:301856
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
暂无价格
参考库存:106858
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