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FET，MOSFET - 阵列

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VQ1001P-E3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
4 个 N 通道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
830mA
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
1.75 欧姆 @ 200mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
110pF @ 15V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
-
供应商器件封装
14-DIP
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IXTL2X220N075T
IXYS
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 75V 120A I5-PAK
暂无价格
参考库存:49644
ZVN4206NTC
Diodes Incorporated
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 60V SOT-223-8
暂无价格
参考库存:49660
SP8K4FU6TB
Rohm Semiconductor
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC
暂无价格
参考库存:49678
GWM70-01P2
IXYS
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL
暂无价格
参考库存:49686
GWM160-0055X1-SLSAM
IXYS
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS
暂无价格
参考库存:49694
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