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FET,MOSFET - 阵列
SI4330DY-T1-E3参考图片

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SI4330DY-T1-E3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
6.6A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
16.5 毫欧 @ 8.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
20nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
1.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SO
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 阵列
-20V PCH+PCH POWER MOSFET
暂无价格
参考库存:20168
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
暂无价格
参考库存:52015
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 40V 40A 56LFPAK
暂无价格
参考库存:35194
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SSMINI6
暂无价格
参考库存:52041
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 6N-CH 500V 5A 15-SIP
暂无价格
参考库存:5419
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