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FET，MOSFET - 阵列

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APTSM120AM09CD3AG

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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
碳化硅 （SiC）
漏源电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
337A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
11 毫欧 @ 180A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 9mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
1224nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
23000pF @ 1000V
功率 - 最大值
23000pF @ 1000V
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
商品其它信息
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2:买家咨询的时候请务必说清楚(完整型号、封装、数量)，以便我们及时报价
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4:千元以上免运费(特殊商品除外)。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTM50A15FT1G
Microsemi Corporation
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1
暂无价格
参考库存:24281
NTZD3154NT2G
ON Semiconductor
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
暂无价格
参考库存:24289
IRF5810TRPBF
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
暂无价格
参考库存:24297
SI5935DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
暂无价格
参考库存:24305
FDY3001NZ
ON Semiconductor
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 20V 0.2A SOT-563F
暂无价格
参考库存:24313
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