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FET,MOSFET - 阵列
SI3905DV-T1-E3参考图片

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SI3905DV-T1-E3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
2 个 P 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
8V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
125 毫欧 @ 2.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
1.15W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOP
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
暂无价格
参考库存:9966
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 40V 7A 8-MLP
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参考库存:17468
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
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参考库存:2610
FET,MOSFET - 阵列
SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
暂无价格
参考库存:17472
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP
暂无价格
参考库存:32482
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