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FET,MOSFET - 阵列

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APTC60DDAM45CT1G

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
CoolMOS™
零件状态
停產
FET 类型
2 N-通道(双)
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
49A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
45 毫欧 @ 24.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
150nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
7200pF @ 25V
功率 - 最大值
250W
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP1
供应商器件封装
SP1
商品其它信息
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2:买家咨询的时候请务必说清楚(完整型号、封装、数量),以便我们及时报价
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 20V 7.1A 8TSSOP
暂无价格
参考库存:33405
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8TSSOP
暂无价格
参考库存:33421
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET N-CH DUAL LGA
暂无价格
参考库存:33429
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
暂无价格
参考库存:33445
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOIC
暂无价格
参考库存:2711274
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