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FET,MOSFET - 阵列
STS4DNF60参考图片

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STS4DNF60

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
STripFET™
零件状态
停產
FET 类型
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
90 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
315pF @ 25V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SO
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP
暂无价格
参考库存:6547
FET,MOSFET - 阵列
4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP
暂无价格
参考库存:47845
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 20V 14.1A 14-SOIC
暂无价格
参考库存:47853
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET N-CHAN 40V
暂无价格
参考库存:47861
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC
暂无价格
参考库存:47869
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