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FET，MOSFET - 阵列

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AON2880

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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
7A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
21.5 毫欧 @ 5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
600pF @ 10V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
8-DFN-EP（2x2）
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD87335Q3DT
Texas Instruments
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 30V 25A
暂无价格
参考库存:6240
ECH8695R-TL-W
ON Semiconductor
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28
暂无价格
参考库存:49337
NVMFD5853NLT1G
ON Semiconductor
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
暂无价格
参考库存:49345
IRF9358TRPBF
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
暂无价格
参考库存:32613
PMGD290UCEAX
Nexperia USA Inc.
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP
暂无价格
参考库存:49355
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