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FET,MOSFET - 阵列

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AOTE21115C

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 P 沟道(双)共漏
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5.1A(Ta)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
40 毫欧 @ 5.1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
17nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
930pF @ 10V
功率 - 最大值
1.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装
8-TSSOP
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
暂无价格
参考库存:37826
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8
暂无价格
参考库存:37834
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
暂无价格
参考库存:37842
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56
暂无价格
参考库存:37850
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
暂无价格
参考库存:37858
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