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FET,MOSFET - 阵列
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ALD110908ASAL

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
EPAD®
零件状态
有源
FET 类型
2 N 沟道(双)配对
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
10.6V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
12mA,3mA
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
500 欧姆 @ 4.8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
810mV @ 1µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2.5pF @ 5V
功率 - 最大值
500mW
工作温度
0°C ~ 70°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
暂无价格
参考库存:35035
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2 N-CH 20V 10.1A 4QFN
暂无价格
参考库存:35043
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET N/P-CH 40V 8PQFN
暂无价格
参考库存:35075
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
暂无价格
参考库存:35083
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
暂无价格
参考库存:35099
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