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FET，MOSFET - 阵列
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EPC2107

  • EPC
  • 新批次
  • GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
eGaN®
零件状态
有源
FET 类型
3 N 沟道（半桥 + 同步自举）
FET 功能
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.7A，500mA
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
320 毫欧 @ 2A, 5V, 3.3 欧姆 @ 2A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
9-VFBGA
供应商器件封装
9-BGA (1.35x1.35)
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD87502Q2T
Texas Instruments
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON
暂无价格
参考库存:30668
DMC2004LPK-7
Diodes Incorporated
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET N/P-CH 20V 6-DFN
暂无价格
参考库存:19422
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
暂无价格
参考库存:5470
DMG4822SSD-13
Diodes Incorporated
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
暂无价格
参考库存:41988
PMGD780SN,115
Nexperia USA Inc.
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
暂无价格
参考库存:49532
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