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FET,MOSFET - 阵列
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EPC2107

  • EPC
  • 新批次
  • GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
eGaN®
零件状态
有源
FET 类型
3 N 沟道(半桥 + 同步自举)
FET 功能
GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.7A,500mA
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
320 毫欧 @ 2A, 5V, 3.3 欧姆 @ 2A, 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 100µA,2.5V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
9-VFBGA
供应商器件封装
9-BGA (1.35x1.35)
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON
暂无价格
参考库存:16032
EPC
FET,MOSFET - 阵列
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
暂无价格
参考库存:41034
FET,MOSFET - 阵列
PT11N 30/12 & PT11N 30/12
暂无价格
参考库存:18542
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
暂无价格
参考库存:48566
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
暂无价格
参考库存:16080
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