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FET，MOSFET - 阵列
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DMT3011LDT-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A，10.7A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
20 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
13.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
641pF @ 15V
功率 - 最大值
1.9W
工作温度
-55°C ~ 155°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
V-DFN3030-8（K 类）
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDQ7236AS
ON Semiconductor
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 30V 14A/11A 14-SOIC
暂无价格
参考库存:34235
NTLJD3181PZTAG
ON Semiconductor
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
暂无价格
参考库存:34251
FW216A-TL-2WX
ON Semiconductor
FET，MOSFET - 阵列
INTEGRATED CIRCUIT
暂无价格
参考库存:34259
AUIRF9952Q
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
暂无价格
参考库存:34267
FW217A-TL-2WX
ON Semiconductor
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET N-CH 35V 8SOIC
暂无价格
参考库存:34275
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