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FET，MOSFET - 阵列
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PMCM650CUNEZ

  • Nexperia USA Inc.
  • 新批次
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
13nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
556mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-XFBGA，WLCSP
供应商器件封装
6-WLCSP（1.48x0.98）
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI4562DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
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MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
暂无价格
参考库存:26819
NTMFD4C86NT1G
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MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
暂无价格
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PMGD175XNEAX
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ALD1108EPCL
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FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 4N-CH 10V 16DIP
暂无价格
参考库存:26859
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