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FET，MOSFET - 阵列
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CSD87334Q3DT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
NexFET™
零件状态
有源
FET 类型
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
6 毫欧 @ 12A，8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
8.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1260pF @ 15V
功率 - 最大值
6W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-VSON（3.3x3.3）
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN2004DWK-7
Diodes Incorporated
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363
暂无价格
参考库存:48317
CMLDM3757 TR PBFREE
Central Semiconductor Corp
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
暂无价格
参考库存:31480
EPC2105ENGRT
EPC
FET，MOSFET - 阵列
GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
暂无价格
参考库存:48327
CSD87501LT
Texas Instruments
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR
暂无价格
参考库存:5240
AUIRF7341QTR
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 阵列
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
暂无价格
参考库存:48345
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