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FET,MOSFET - 阵列
CSD87334Q3DT参考图片

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CSD87334Q3DT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
NexFET™
零件状态
有源
FET 类型
2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
6 毫欧 @ 12A,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
8.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1260pF @ 15V
功率 - 最大值
6W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-VSON(3.3x3.3)
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 41V~60V U-DFN2020-6
暂无价格
参考库存:48100
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
暂无价格
参考库存:48116
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
暂无价格
参考库存:26618
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET P-CH 20V 6UDFN
暂无价格
参考库存:61620
FET,MOSFET - 阵列
NX3008PBK/SOT23/TO-236AB
暂无价格
参考库存:48128
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