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FET，MOSFET - 射频
BLP8G10S-45PJ参考图片

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BLP8G10S-45PJ

  • NXP USA Inc.
  • 新批次
  • TRANS LDMOS 45W 4HSOPF
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
LDMOS（双）
频率
952.5MHz ~ 957.5MHz
增益
20.8dB
电压 - 测试
28V
额定电流（安培）
-
噪声系数
-
电流 - 测试
224mA
功率 - 输出
2.5W
电压 - 额定
65V
封装/外壳
SOT-1223-1
供应商器件封装
4-HSOPF
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRFE6VS25NR1
NXP USA Inc.
FET，MOSFET - 射频
FET RF 133V 512MHZ TO270-2
暂无价格
参考库存:33155
BLP10H6120PGY
Ampleon USA Inc.
FET，MOSFET - 射频
RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP
暂无价格
参考库存:33163
MRF8S9120NR3
NXP USA Inc.
FET，MOSFET - 射频
FET RF 70V 960MHZ QM780-2
暂无价格
参考库存:33171
MRFE6VP6600NR3
NXP USA Inc.
FET，MOSFET - 射频
TRANS RF LDMOS 600W 50V
暂无价格
参考库存:33179
BLF8G22LS-270GVJ
Ampleon USA Inc.
FET，MOSFET - 射频
RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C
暂无价格
参考库存:1990
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