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FET，MOSFET - 射频
PD84010S-E参考图片

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PD84010S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
晶体管类型
LDMOS
频率
870MHz
增益
16.3dB
电压 - 测试
7.5V
额定电流（安培）
8A
噪声系数
-
电流 - 测试
300mA
功率 - 输出
2W
电压 - 额定
40V
封装/外壳
PowerSO-10 裸露底部焊盘
供应商器件封装
PowerSO-10RF（直引线）
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT26H200W03SR6
NXP USA Inc.
FET，MOSFET - 射频
FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4
暂无价格
参考库存:34497
BLF9G38LS-90PU
Ampleon USA Inc.
FET，MOSFET - 射频
RF FET LDMOS 65V 15DB SOT1121B
暂无价格
参考库存:34513
BLP8G27-10Z
Ampleon USA Inc.
FET，MOSFET - 射频
RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN
暂无价格
参考库存:10324
MRF8VP13350GNR3
NXP USA Inc.
FET，MOSFET - 射频
TRANS RF LDMOS 350W 50V
暂无价格
参考库存:34523
PTVA082407NF-V1-R5
Cree/Wolfspeed
FET，MOSFET - 射频
IC RF LDMOS FET 4HBSOF
暂无价格
参考库存:34531
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