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FET,MOSFET - 射频
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NPT2022

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
HEMT
频率
0Hz ~ 2GHz
增益
17dB
电压 - 测试
48V
额定电流(安培)
14A
噪声系数
-
电流 - 测试
600mA
功率 - 输出
100W
电压 - 额定
160V
封装/外壳
TO-272BC
供应商器件封装
TO-272-2
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 射频
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
暂无价格
参考库存:37219
FET,MOSFET - 射频
IC RF FET LDMOS 330W H-37248-4
暂无价格
参考库存:37227
FET,MOSFET - 射频
FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5
暂无价格
参考库存:37235
FET,MOSFET - 射频
RF PWR MOSFET 500V 10A
暂无价格
参考库存:5679
FET,MOSFET - 射频
250W 36V 960-1215 MHZ LDMOS TRAN
暂无价格
参考库存:37253
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