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FET，MOSFET - 射频
MRF8P20165WHR3参考图片

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MRF8P20165WHR3

  • NXP USA Inc.
  • 新批次
  • FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
不適用於新設計
晶体管类型
LDMOS（双）
频率
1.98GHz ~ 2.01GHz
增益
14.8dB
电压 - 测试
28V
额定电流（安培）
-
噪声系数
-
电流 - 测试
550mA
功率 - 输出
37W
电压 - 额定
65V
封装/外壳
NI780-4
供应商器件封装
NI-780-4
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRFG35003ANR5
NXP USA Inc.
FET，MOSFET - 射频
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FET，MOSFET - 射频
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MRF7S27130HR5
NXP USA Inc.
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FET RF 65V 2.7GHZ NI-780
暂无价格
参考库存:36741
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